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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
47
En -114% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
22
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3012
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
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