RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
69
En 32% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
6.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
69
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
6.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
1598
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link