RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
47
En -147% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.5
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
19
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
17.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3499
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link