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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
45
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3741
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology DDR4 4133 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
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