RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
71
En 37% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
71
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
1799
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link