RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
81
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
5.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
81
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
1651
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link