RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
48
En -66% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
29
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2513
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link