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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Puntuación global
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
41
En -46% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2016
1974
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Kingston 9905624-044.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
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