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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
40
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3330
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-02X.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
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Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
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