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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Puntuación global
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Puntuación global
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 45
    En 33% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    8500 left arrow 1900
    En 4.47% mayor ancho de banda
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.7 left arrow 10.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 6.8
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    30 left arrow 45
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.6 left arrow 11.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    6.8 left arrow 8.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    8500 left arrow 1900
Other
  • Descripción
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow no data
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1479 left arrow 2387

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