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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
43
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
11
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
26
Velocidad de lectura, GB/s
11.0
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1393
2846
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Kingston X5H5PW-MIB 8GB
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Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
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