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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
2190
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
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