RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
32
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
3659
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link