Comparación de la memoria RAM SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Puntuación global

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Razones a tener en cuenta
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

32 77

En -141% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

9.8 2

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.6 1,884.0

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 6400

En 2.66 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

564 2271

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns