RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Compara
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
37
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
22
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2438
2633
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1333C9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1333C9 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link