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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
43
En -105% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
21
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
17.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
3954
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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