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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
43
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
2958
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
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