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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
53
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
53
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
21.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
2524
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
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