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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
59
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.9
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
2,076.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
41
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
8.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
2126
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
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