RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
59
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
2,076.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
6400
En 3.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
54
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
23400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
2259
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link