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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Compara
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Puntuación global
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
22.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
3,071.4
21.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
16
70
En -338% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
70
16
Velocidad de lectura, GB/s
4,372.7
22.3
Velocidad de escritura, GB/s
3,071.4
21.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3952
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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