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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Compara
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Puntuación global
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
68
En -134% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
1,944.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,973.0
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,944.9
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
673
3140
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
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