RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
20.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
46
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
24
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
4064
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link