RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
46
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
41
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
2621
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link