RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
58
87
En -50% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
58
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
2591
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link