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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
14.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
87
En -211% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3236
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Corsair CM3B8G2D1600K11S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
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