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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
87
En -156% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3193
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
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