RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
14.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
87
En -211% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3420
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link