RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
24.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
87
En -172% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
24.1
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
4001
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link