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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Compara
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Puntuación global
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Puntuación global
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
35
En 29% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2180
2642
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston KHX2666C16/8G 8GB
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
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