Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Puntuación global

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Puntuación global

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Informar de un error

Mayor velocidad de lectura, GB/s

10.9 10.4

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

7.5 5.3

Valor medio en las pruebas

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Razones a tener en cuenta
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Informar de un error

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

31 44

En -42% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 10600

En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Principales características

Tipo de memoria

DDR3 DDR4
Latencia en PassMark, ns

44 31
Velocidad de lectura, GB/s

10.9 10.4
Velocidad de escritura, GB/s

7.5 5.3
Ancho de banda de la memoria, mbps

10600 17000

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1853 1740

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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