RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
46
Autour de -92% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2508
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link