RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
74
Autour de 38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
2,061.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
74
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
1779
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link