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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
46
Autour de -24% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
37
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2808
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
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Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
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