RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Comparez
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB vs Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Note globale
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Note globale
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.4
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
37
Autour de -76% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
21
Vitesse de lecture, GB/s
21.4
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
14.3
7.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3448
2073
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB Comparaison des RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link