RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Comparez
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
34
Autour de 21% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.7
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2584
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaison des RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99P5474-004.A00LF 2GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link