RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Comparez
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Note globale
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Note globale
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
39
Autour de -77% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
22
Vitesse de lecture, GB/s
14.6
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.8
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2355
3013
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link