RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Comparez
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Note globale
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Note globale
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
74
Autour de 62% latence réduite
Raisons de considérer
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
74
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
1925
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link