RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Comparez
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Note globale
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Note globale
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
40
Autour de -5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.0
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2021
3030
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB Comparaison des RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link