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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Comparez
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Note globale
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
101
Autour de 66% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
101
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
12.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
6.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2636
1382
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
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InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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