RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
42
Autour de -62% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
3068
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link