RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
29
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.8
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.9
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
22.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
16.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
3792
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link