Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

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Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    28 left arrow 31
    Autour de -11% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    11.8 left arrow 8.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    7.9 left arrow 5.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    12800 left arrow 8500
    Autour de 1.51 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    31 left arrow 28
  • Vitesse de lecture, GB/s
    8.8 left arrow 11.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    5.1 left arrow 7.9
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    8500 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1423 left arrow 1920
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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