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Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
31
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.8
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
5.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
8500
Autour de 1.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
31
28
Vitesse de lecture, GB/s
8.8
11.8
Vitesse d'écriture, GB/s
5.1
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
12800
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1423
1920
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparaison des RAM
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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