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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
25
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.9
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
25
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
12.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
10600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
1788
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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