RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Comparez
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Note globale
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Note globale
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
43
Autour de -87% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2710
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link