RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,935.8
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
45
Autour de -32% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
34
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
2795
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link