RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Comparez
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
36
Autour de 22% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
36
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2014
2497
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link