RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Note globale
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
33
Autour de 6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
33
Vitesse de lecture, GB/s
17.4
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2735
2987
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link