RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
31
Autour de -29% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
24
Vitesse de lecture, GB/s
16.8
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.8
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2904
2925
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link