RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Note globale
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
53
Autour de 60% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
21
53
Vitesse de lecture, GB/s
17.4
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.2
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3130
2356
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 9905316-175.A00LF 2GB
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link